IR2011SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2011SPBF von Infineon und 2ED21834S06JXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2011SPBF 2ED21834S06JXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $0,89
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting Half-bridge (high-side + low-side)
Anzahl der Ausgänge 2 —
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Gehäuse 8-SOIC (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Anzahl der Pins — 14
RoHS-Status — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

Datenblätter & Ressourcen

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