IR2011SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2011SPBF par Infineon et 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2011SPBF 2ED21834S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,89
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting Half-bridge (high-side + low-side)
Nombre de sorties 2 —
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Boîtier 8-SOIC (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Nombre de broches — 14
Statut RoHS — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

Fiches techniques et ressources

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