IR2011SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2011SPBF por Infineon y 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2011SPBF 2ED21834S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $0,89
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting Half-bridge (high-side + low-side)
Número de salidas 2 —
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Encapsulado 8-SOIC (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Número de pines — 14
Estado RoHS — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

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