IR2011SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IR2011SPBF от Infineon и 2ED21834S06JXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED21834S06JXUMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IR2011SPBF | 2ED21834S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,18 | $0,89 |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Configuration | High-Side and Low-Side, Inverting | Half-bridge (high-side + low-side) |
| Количество выходов | 2 | — |
| Offset Voltage (High-Side, max) | 200 V | — |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) | 10 V to 20 V | — |
| Output Source/Sink Current | 1 A / 1 A (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 80 ns | — |
| Rise / Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| Input Logic Compatibility | CMOS / LSTTL, down to 3.0 V | — |
| dV/dt Immunity | Yes | — |
| Negative Transient Tolerance | Yes (on VS pin) | — |
| Диапазон рабочих температур | -40 C to +125 C | -40 °C to +125 °C |
| Корпус | 8-SOIC (DSO-8) | PG-DSO-14-49 (DSO-14) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Tube / Reel Packaging | Tube (per Infineon PBF convention) | — |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | — | 650 V |
| Typical Sink Current | — | 2.5 A |
| Typical Source Current | — | 2.5 A |
| Input Logic | — | Non-Inverting |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| Количество выводов | — | 14 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 |