IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2114SSPBF von Infineon und 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,70 $0,78
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Topologie Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
Anzahl der Pins — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Ausgangstyp — Half-Bridge, Non-Inverting

Datenblätter & Ressourcen

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