IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2114SSPBF par Infineon et 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,70 $0,78
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Nombre de sorties 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Topologie Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
Nombre de broches — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Type de sortie — Half-Bridge, Non-Inverting

Fiches techniques et ressources

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