IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2114SSPBF por Infineon y 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,70 $0,78
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Número de salidas 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Topología Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
Número de pines — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Tipo de salida — Half-Bridge, Non-Inverting

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