IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2114SSPBF por Infineon e 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,70 $0,78
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Número de saídas 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Topologia Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
Número de pinos — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Tipo de saída — Half-Bridge, Non-Inverting

Fichas técnicas e recursos

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