IR2114SSPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2114SSPBF 제조: Infineon 및 2ED2106S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2114SSPBF 2ED2106S06FXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.70 $0.78
Configuration Half-bridge gate driver High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
출력 수 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
토폴로지 Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 3 A 0.7 A
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns 100 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL CMOS, TTL
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
동작 온도 -40 C to +125 C —
패키지 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Number of Drivers — 2
핀 수 — 8
Bootstrap Diode — Integrated
동작 온도 범위 — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
출력 유형 — Half-Bridge, Non-Inverting

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