IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2117STRPBF von Infineon und IRS21834STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $1,45
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
Funktion Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
Anstiegszeit 80 ns (typ) —
Abfallzeit 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40C to +125C
Gehäuse / Bauform 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Gehäuse — 14-SOIC (SOIC-14)

Datenblätter & Ressourcen

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