IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2117STRPBF 제조: Infineon 및 IRS21834STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.58 $1.45
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
기능 Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
출력 수 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
상승 시간 80 ns (typ) —
하강 시간 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
동작 온도 범위 -40 C to +125 C -40C to +125C
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL 레벨 MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
패키지 — 14-SOIC (SOIC-14)

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