IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2117STRPBF por Infineon y IRS21834STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $1,45
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
Función Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
Número de salidas 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
Tiempo de subida 80 ns (typ) —
Tiempo de bajada 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulado / Carcasa 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Encapsulado — 14-SOIC (SOIC-14)

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