IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2117STRPBF par Infineon et IRS21834STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $1,45
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
Fonction Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
Nombre de sorties 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
Temps de montée 80 ns (typ) —
Temps de descente 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Boîtier / Format 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Boîtier — 14-SOIC (SOIC-14)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis