IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2117STRPBF por Infineon e IRS21834STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $1,45
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
Função Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
Número de saídas 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
Tempo de subida 80 ns (typ) —
Tempo de descida 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulamento / Caixa 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Encapsulamento — 14-SOIC (SOIC-14)

Fichas técnicas e recursos

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