IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21531STRPBF von Infineon und IRS2153DSTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,70 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Anstiegszeit 80 ns —
Abfallzeit 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
RoHS-Status Compliant (ROHS3) Compliant
Topologie — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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