IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR21531STRPBF par Infineon et IRS2153DSTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,70 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Nombre de sorties 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Temps de montée 80 ns —
Temps de descente 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
Topologie — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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