IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR21531STRPBF por Infineon e IRS2153DSTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,70 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Número de saídas 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Tempo de subida 80 ns —
Tempo de descida 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
Topologia — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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