IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21531STRPBF por Infineon y IRS2153DSTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,70 $0,42
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Número de salidas 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Tiempo de subida 80 ns —
Tiempo de bajada 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Estado RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
Topología — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

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