IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR21531STRPBF 제조: Infineon 및 IRS2153DSTRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.70 $0.42
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
출력 수 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
상승 시간 80 ns —
하강 시간 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
RoHS 상태 Compliant (ROHS3) Compliant
토폴로지 — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
동작 온도 범위 — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

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