IRF1018EPBF vs IRFS7430TRL7PP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1018EPBF von Infineon und IRFS7430TRL7PP von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1018EPBF IRFS7430TRL7PP
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $3,15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) —
Gehäuse TO-220AB (through-hole, 3-lead) D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab
Montageart Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — StrongIRFET
Series — HEXFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 240 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse spec]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — 305 nC
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 375 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) — 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH)
MSL-Level — MSL1 (per PartGenie)

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