IRF1018EPBF vs IRFS7430TRL7PP Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF1018EPBF от Infineon и IRFS7430TRL7PP от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF1018EPBF IRF1018EPBF - 60V 79A 8.4mOhm N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1018EPBF - 60V 79A 8.4mOhm N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1018EPBF ✓ Активен
Infineon
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP - 40V 240A StrongIRFET N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS7430TRL7PP - 40V 240A StrongIRFET N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS7430TRL7PP ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF1018EPBF IRFS7430TRL7PP
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $3,15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (Tj) —
Корпус TO-220AB (through-hole, 3-lead) D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — StrongIRFET
Series — HEXFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 240 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse spec]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — 305 nC
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 375 W
Рабочая температура перехода — -55°C to +175°C
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) — 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH)
Уровень MSL — MSL1 (per PartGenie)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену