IRF1018EPBF vs IRFS7430TRL7PP 比較

詳細な並列比較: IRF1018EPBF メーカー: Infineon および IRFS7430TRL7PP メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF1018EPBF IRFS7430TRL7PP
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $3.15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (Tj) —
パッケージ TO-220AB (through-hole, 3-lead) D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab
実装タイプ Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — StrongIRFET
Series — HEXFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 240 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse spec]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — 305 nC
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 375 W
動作接合温度 — -55°C to +175°C
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) — 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH)
MSLレベル — MSL1 (per PartGenie)

データシート&リソース

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