IRF150P220AKMA1 vs IRFP250MPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF150P220AKMA1 von Infineon und IRFP250MPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $2,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Technology StrongIRFET HEXFET (IR MOSFET)
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W 214 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse TO-247-3 (PG-TO247-3) —
Montageart Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Gehäuse / Bauform — TO-247AC (3-pin + tab)
Anzahl der Pins — 3
Avalanche Rated — Yes
MSL-Level — 1 (unlimited)

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