IRF150P220AKMA1 vs IRFP250MPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF150P220AKMA1 por Infineon e IRFP250MPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,55 $2,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Technology StrongIRFET HEXFET (IR MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W 214 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-247-3 (PG-TO247-3) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Encapsulamento / Caixa — TO-247AC (3-pin + tab)
Número de pinos — 3
Avalanche Rated — Yes
Nível MSL — 1 (unlimited)

Fichas técnicas e recursos

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