IRF150P220AKMA1 vs IRFP250MPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF150P220AKMA1 par Infineon et IRFP250MPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $2,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Technology StrongIRFET HEXFET (IR MOSFET)
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W 214 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-247-3 (PG-TO247-3) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Boîtier / Format — TO-247AC (3-pin + tab)
Nombre de broches — 3
Avalanche Rated — Yes
Niveau MSL — 1 (unlimited)

Fiches techniques et ressources

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