IRF150P220AKMA1 vs IRFP250MPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF150P220AKMA1 por Infineon y IRFP250MPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,55 $2,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 IRFP250MPBF
Technology StrongIRFET HEXFET (IR MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W 214 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-247-3 (PG-TO247-3) —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Encapsulado / Carcasa — TO-247AC (3-pin + tab)
Número de pines — 3
Avalanche Rated — Yes
Nivel MSL — 1 (unlimited)

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