IRF150P220AKMA1 vs IRFP250MPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF150P220AKMA1 제조: Infineon 및 IRFP250MPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF150P220AKMA1 | IRFP250MPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.55 | $2.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRF150P220AKMA1 | IRFP250MPBF |
| Technology | StrongIRFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 203 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 556 W | 214 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | — |
| 패키지 | TO-247-3 (PG-TO247-3) | — |
| 실장 유형 | Through Hole | Through Hole |
| Terminal Finish | Tin (Sn) | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 82 nC |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +175C |
| 패키지 / 케이스 | — | TO-247AC (3-pin + tab) |
| 핀 수 | — | 3 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | 1 (unlimited) |