IRF4905SPBF vs IPB120P04P4L03ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF4905SPBF von Infineon und IPB120P04P4L03ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF4905SPBF IPB120P04P4L03ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $1,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W 136 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C -55C to +175C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Gehäuse D2PAK (TO-263) surface mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS-Status Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant (per Infineon product page)
Qualification JEDEC standard —
Transistor Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

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