IRF4905SPBF vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF4905SPBF por Infineon e IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF4905SPBF IPB120P04P4L03ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $1,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W 136 W
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C -55C to +175C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Encapsulamento D2PAK (TO-263) surface mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Status RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant (per Infineon product page)
Qualification JEDEC standard —
Transistor Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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