IRF4905SPBF vs IPB120P04P4L03ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF4905SPBF 제조: Infineon 및 IPB120P04P4L03ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IRF4905SPBF | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.18 | $1.74 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | 136 W |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +150 C | -55C to +175C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| 패키지 | D2PAK (TO-263) surface mount | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, planar cell | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | Compliant (per Infineon product page) |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |