IRF4905SPBF vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905SPBF par Infineon et IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF4905SPBF IPB120P04P4L03ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $1,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W 136 W
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +175C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Boîtier D2PAK (TO-263) surface mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant (per Infineon product page)
Qualification JEDEC standard —
Transistor Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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