IRF4905SPBF vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF4905SPBF por Infineon y IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF4905SPBF IPB120P04P4L03ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $1,74
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W 136 W
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C -55C to +175C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Encapsulado D2PAK (TO-263) surface mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Estado RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant (per Infineon product page)
Qualification JEDEC standard —
Transistor Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

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