IRFR220NTRPBF vs IRFR220NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR220NTRPBF von Infineon und IRFR220NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR220NTRPBF IRFR220NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,74
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Gehäuse / Bauform — TO-252AA (DPAK)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

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