IRFR220NTRPBF vs IRFR220NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR220NTRPBF por Infineon e IRFR220NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR220NTRPBF IRFR220NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,22 $0,74
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Encapsulamento / Caixa — TO-252AA (DPAK)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Fichas técnicas e recursos

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