IRFR220NTRPBF vs IRFR220NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR220NTRPBF par Infineon et IRFR220NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR220NTRPBF IRFR220NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,74
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Boîtier / Format — TO-252AA (DPAK)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Fiches techniques et ressources

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