IRFR220NTRPBF vs IRFR220NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR220NTRPBF por Infineon y IRFR220NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR220NTRPBF IRFR220NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,22 $0,74
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Encapsulado / Carcasa — TO-252AA (DPAK)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

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