IRFZ48NPBF vs IRF9540NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFZ48NPBF von Infineon und IRF9540NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFZ48NPBF IRF9540NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse TO-220AB (through-hole) —
Montageart Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Qualification Standard Industrial market —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
Transistortyp — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

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