IRFZ48NPBF vs IRF9540NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ48NPBF بذریعہ Infineon اور IRF9540NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ48NPBF IRF9540NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-220AB (through-hole) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Qualification Standard Industrial market —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پیکیج / کیس — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں