IRFZ48NPBF vs IRF9540NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ48NPBF por Infineon e IRF9540NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ48NPBF IRF9540NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Qualification Standard Industrial market —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

Fichas técnicas e recursos

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