IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DSPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2153DSTRPBF von Infineon und IRS2153DSPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2153DSTRPBF IRS2153DSPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,98
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Gehäuse 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Funktion — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Anzahl der Ausgänge — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

Datenblätter & Ressourcen

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