IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DSPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2153DSTRPBF por Infineon e IRS2153DSPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2153DSTRPBF IRS2153DSPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,98
Topologia Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Encapsulamento 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Função — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Número de saídas — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

Fichas técnicas e recursos

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