IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DSPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2153DSTRPBF от Infineon и IRS2153DSPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр IRS2153DSTRPBF IRS2153DSPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $0,98
Топология Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Корпус 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Функция — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Количество выходов — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену