IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DSPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2153DSTRPBF por Infineon y IRS2153DSPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2153DSTRPBF IRS2153DSPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,98
Topología Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Encapsulado 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Función — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Número de salidas — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

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