IS43QR16512B-062AABL vs H5AN8G6NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS43QR16512B-062AABL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und H5AN8G6NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IS43QR16512B-062AABL | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $35,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| CAS-Latenz | 22-22-22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | 19 ns | — |
| Gehäuse | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Schnittstelle | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |