IS43QR16512B-062AABL vs H5AN8G6NDJR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IS43QR16512B-062AABL | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,10 | $35,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Latência CAS | 22-22-22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | 19 ns | — |
| Encapsulamento | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Número de pinos | 96 | — |
| Interface | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Recursos | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |