IS43QR16512B-062AABL vs H5AN8G6NDJR Comparación
Comparación detallada lado a lado de IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IS43QR16512B-062AABL | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $35,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Latencia CAS | 22-22-22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | 19 ns | — |
| Encapsulado | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Interfaz | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |