IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-107MBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und H5TC4G63AFR-PBR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,00 $5,91
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Datenrate 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
CAS-Latenz 13 11
Schnittstelle Parallel —
Gehäuse 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Betriebstemperatur 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
Montageart Surface Mount —
RoHS-Status Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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