IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-107MBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et H5TC4G63AFR-PBR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
Marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,00 $5,91
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Débit de données 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
Latence CAS 13 11
Interface Parallel —
Boîtier 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Température de fonctionnement 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
Type de montage Surface Mount —
Statut RoHS Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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