IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IS43TR16256AL-107MBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e H5TC4G63AFR-PBR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,00 $5,91
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Tensão de alimentação 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Taxa de dados 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
Latência CAS 13 11
Interface Parallel —
Encapsulamento 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Temperatura de operação 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
Tipo de montagem Surface Mount —
Status RoHS Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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