IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-107MBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и H5TC4G63AFR-PBR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
Бренд ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,00 $5,91
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 4 Gbit —
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Напряжение питания 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Скорость передачи данных 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
Задержка CAS 13 11
Интерфейс Parallel —
Корпус 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Рабочая температура 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
Тип монтажа Surface Mount —
Статус RoHS Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену